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HY57V641620ET-5

64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

DESCRIPTION The Hynix HY57V641620E(L/S)T(P) series is a 67,108,864bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the memory applications which require wide data I/O and high bandwidth. HY57V641620E(L/S)T(P) is organized as 4banks of 1,048,576x16. HY57V641620E(L/S)T(P) is offering f

Hynix

海力士

HY57V641620ET-5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY57V641620ET-5

  • 制造商

    HYNIX

  • 制造商全称

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述

    64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

更新时间:2025-8-16 23:01:00
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