型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HY57V561620BT-8I

4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION The HY57V561620B is a 268,435,456bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V561620B is organized as 4banks of 4,194,304x16. HY57V561620B is offering fully synchronous operation referenced to a

Hynix

海力士

HY57V561620BT-8I产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY57V561620BT-8I

  • 制造商

    HYNIX

  • 制造商全称

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述

    4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

更新时间:2025-9-30 14:06:00
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