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HY57V561620BT-6I

4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION The HY57V561620B is a 268,435,456bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V561620B is organized as 4banks of 4,194,304x16. HY57V561620B is offering fully synchronous operation referenced to a

Hynix

海力士

HY57V561620BT-6I产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY57V561620BT-6I

  • 制造商

    HYNIX

  • 制造商全称

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述

    4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

更新时间:2025-11-17 22:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HY
23+
NA
12000
全新原装假一赔十
HYNIX
08+
SSOP
5
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
HYN
24+/25+
16
原装正品现货库存价优
HYNIX
02+
SOP
4200
全新原装进口自己库存优势
HYN
23+
NA
353
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HYNIX/海力士
25+
TSOP-54
15000
全新原装现货,价格优势
HYIN
25+
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4500
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22+
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8000
原装正品支持实单
HYNIX
25+
TSOP54
3000
全新原装、诚信经营、公司现货销售

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