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HY57V121620T-6

4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION The HY57V121620 is a 512-Mbit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V121620 is organized as 4banks of 8,388,608x16. HY57V121620 is offering fully synchronous operation referenced to a positive

Hynix

海力士

HY57V121620T-6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY57V121620T-6

  • 功能描述

    SDRAM|4X8MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC

更新时间:2025-8-15 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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