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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HY57V121620LT-8 | 4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM DESCRIPTION The HY57V121620 is a 512-Mbit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V121620 is organized as 4banks of 8,388,608x16. HY57V121620 is offering fully synchronous operation referenced to a positive | Hynix 海力士 |   |
HY57V121620LT-8产品属性
- 类型
描述
- 型号
HY57V121620LT-8
- 制造商
HYNIX
- 制造商全称
Hynix Semiconductor
- 功能描述
4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
更新时间：2025-11-18 11:34:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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