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HY19晶体管资料

  • HY1906别名：HY1906三极管、HY1906晶体管、HY1906晶体三极管

  • HY1906生产厂家：中国大陆半导体企业

  • HY1906制作材料：

  • HY1906性质：射频/高频放大 （HF）_静噪放大 （LN）_宽频带放大

  • HY1906封装形式：直插封装

  • HY1906极限工作电压：30V

  • HY1906最大电流允许值：0.05A

  • HY1906最大工作频率：<1MHZ或未知

  • HY1906引脚数：3

  • HY1906最大耗散功率：0.3W

  • HY1906放大倍数：

  • HY1906图片代号：A-11

  • HY1906vtest：30

  • HY1906htest：999900

  • HY1906atest：0.05

  • HY1906wtest：0.3

  • HY1906代换 HY1906用什么型号代替：

HY19价格

参考价格：￥6.0642

型号：HY19-12LF 品牌：Skyworks 备注：这里有HY19多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HY19批发/采购报价，HY19行情走势销售排行榜，HY19报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HY1908B

丝印代码：HY1908B；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 80V/90A, RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems.

HOOYI

后羿半导体

HY1908M

丝印代码：HY1908M；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 80V/90A, RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems.

HOOYI

后羿半导体

HY1908P

丝印代码：HY1908P；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 80V/90A, RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems.

HOOYI

后羿半导体

HY1908PF

丝印代码：HY1908PF；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 80V/90A, RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems.

HOOYI

后羿半导体

HY1908PM

丝印代码：HY1908PM；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 80V/90A, RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems.

HOOYI

后羿半导体

HY1908PS

丝印代码：HY1908PS；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 80V/90A, RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems.

HOOYI

后羿半导体

HY1904B

丝印代码：HY1904；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.02995 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1904C2

丝印代码：HY1904；Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.09171 Mbytes Page：9 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1904D

丝印代码：HY1904；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.23873 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1904M

丝印代码：HY1904；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.02995 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1904P

丝印代码：HY1904；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.02995 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1904S

丝印代码：HY1904；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.17377 Mbytes Page：10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1904U

丝印代码：HY1904；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.23873 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1904V

丝印代码：HY1904；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.23873 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1908C2

丝印代码：HY1908；Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：819.15 Kbytes Page：9 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1910C2

丝印代码：HY1910；Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.05858 Mbytes Page：9 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1910D

丝印代码：HY1910；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.45379 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1910U

丝印代码：HY1910；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.45379 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1910V

丝印代码：HY1910；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.45379 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY19P03B

丝印代码：HY19P03；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：749.96 Kbytes Page：10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY19P03D

丝印代码：HY19P03；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.26974 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY19P03P

丝印代码：HY19P03；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：749.96 Kbytes Page：10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY19P03U

丝印代码：HY19P03；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.26974 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY19P03V

丝印代码：HY19P03；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.26974 Mbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1908

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 80V/90A, RDS(ON) = mW (typ.) @ VGS =10V · Avalanche Rated · Reliable and Rugged · Lead Free andGreenDevicesAvailable (RoHS Compliant) Applications · Power Management for Inverter Systems.

HOOYI

后羿半导体

HY19-12

90 Degree Hybrid 1.85-1.99 GHz

Description The HY19-12 is a 90 degree hybrid tuned for the 1.85–1.99 GHz band. The monolithic circuitry is 100 passive and offers low loss, high isolation and exceptional phase/amplitude balance. It is available in the SOIC-8 leaded surface mount package Features ■ Low Cost ■ Low Profile ■ S

ALPHA

HY19-12

90-Degree Hybrid 1.85-1.99 GHz

Description The HY19-12 is a 90-degree hybrid tuned for the 1.85–1.99 GHz band. The monolithic circuitry is 100 passive and offers low loss, high isolation and exceptional phase/amplitude balance. It is available in the SOIC-8 surface mount package. Features ● Low cost ● Low profile ● Small S

SKYWORKS

思佳讯

HY19-12LF

90-Degree Hybrid 1.85-1.99 GHz

Description The HY19-12 is a 90-degree hybrid tuned for the 1.85–1.99 GHz band. The monolithic circuitry is 100 passive and offers low loss, high isolation and exceptional phase/amplitude balance. It is available in the SOIC-8 surface mount package. Features ● Low cost ● Low profile ● Small S

SKYWORKS

思佳讯

HY1904C2

Single N MOSFET(12V~40V)

HUAYI

华羿微电

HY1904D

Single N MOSFET(12V~40V)

HUAYI

华羿微电

HY1904P

Single N MOSFET(12V~40V)

HUAYI

华羿微电

HY1906

Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：374.86 Kbytes Page：9 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：598.58 Kbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906B

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：598.58 Kbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906C2

Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：374.86 Kbytes Page：9 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906D

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：962.19 Kbytes Page：12 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906P

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：598.58 Kbytes Page：11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906U

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：962.19 Kbytes Page：12 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906V

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：962.19 Kbytes Page：12 Pages

HUAYI

华羿微电

HY19-12LF

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：散装 描述：RF DIR COUPLR 1.85-1.99GHZ 8SOIC RF/IF，射频/中频和 RFID RF 定向耦合器

SKYWORKS

思佳讯

HY1920B

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：904.61 Kbytes Page：10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1920P

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：904.61 Kbytes Page：10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY19产品属性

  • 类型

    描述

  • ID@TC=25℃(A)：

    90

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)：

    6.0

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：

    7.5

  • PD@TC=25℃ (W)：

    100

  • Vgs(±V)：

    20

  • Vth (V)：

    1~3

  • Ciss Typ(pF)：

    2274

  • Qg Typ(nC)：

    52

  • Configuration：

    single-N

  • Package：

    TO-263-2L

HY19供应商更多...

更新时间：2026-7-23 17:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳诚思涵科技有限公司
HY1908B
HY
18+
TO-263
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
HY1908B
HUAYI/华羿微
2450+
TO-263-2L
6885
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
深圳市创新迹电子有限公司
HY1908B
HY/华羿微
22+
TO-263-2L
20000
只做原装
询价
深圳博中泰实业有限公司
HY1908B
HUAYI/华羿微
25+
17495
本公司 只做全新原装正品
询价
深圳市中联芯电子有限公司
HY1908B
HY
25+
TO-263
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
询价
上海金庆电子技术有限公司
HY1908B
HUAYI
20+
1080
全新 发货1-2天
询价
深圳市勤思达科技有限公司
HY1908B
HOOYI
24+
TO-263
5000
全新原装正品,现货销售
询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司
HY1908B
HY
26+
TQFP128
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
询价
深圳市天芯威科技有限公司
HY1908B
HOOYI
24+
TO-263
8000
新到现货，只做全新原装正品
询价
艾睿（深圳）半导体有限公司
HY1908B
HUAYI(华羿微)
2447
TO-263-2L
115000
800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长
询价

HY19芯片相关品牌

HY19规格书下载地址

HY19参数引脚图相关

HY19数据表相关新闻

  • HY2113-KB5B

    HY2113-KB5B，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

    2021-3-13

  • HY2112-CB

    HY2112-CB，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

    2021-3-13

  • HY2110-AB

    HY2110-AB，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-9-7

  • HY1707P

    HY1707P，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-24

  • HY1707

    HY1707，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-24

  • HY1607B

    HY1607B，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-31

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