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HY04P30L

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:386.11 Kbytes Page:10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY04P30L

Single P MOSFET(-20V~ -100V)

HUAYI

华羿微电

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:526.89 Kbytes Page:10 Pages

HUAYI

华羿微电

丝印代码:3407;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ⚫ High power and current handing capability ⚫ VDS= -30V,ID= -4.1A RDS(on)

HUIXIN

慧芯电子

HY04P30L产品属性

  • 类型

    描述

  • ID@TC=25℃(A):

    -4

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    64

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    72

  • PD@TC=25℃ (W):

    1.4

  • Vgs(±V):

    12

  • Vth (V):

    -0.5~-1.5

  • Ciss Typ(pF):

    660

  • Qg Typ(nC):

    12

  • Configuration:

    Single-P

  • Package:

    SOT-23-3L

更新时间:2026-7-30 17:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2450+
DIP
6540
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HY
25+
TO-263-2L
10000
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HY原装
25+23+
DIP
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HY
25+
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10000
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HY
26+
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18176.8
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24+
TO-263-6L
3000
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25+
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20000
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2022+
DFN56
50000
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