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HY04P30

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:526.89 Kbytes Page:10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY04P30

Single P MOSFET(-20V~ -100V)

HUAYI

华羿微电

Single P MOSFET(-20V~ -100V)

HUAYI

华羿微电

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:386.11 Kbytes Page:10 Pages

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华羿微电

丝印代码:3407;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ⚫ High power and current handing capability ⚫ VDS= -30V,ID= -4.1A RDS(on)

HUIXIN

慧芯电子

HY04P30产品属性

  • 类型

    描述

  • ID@TC=25℃(A):

    -4

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    N/A

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    95

  • PD@TC=25℃ (W):

    1.4

  • Vgs(±V):

    8

  • Vth (V):

    -1~-3

  • Ciss Typ(pF):

    620

  • Qg Typ(nC):

    14

  • Configuration:

    Single-P

  • Package:

    SOT-23-3L

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