位置：首页 > IC中文资料第6792页 > HXTR2102
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE |   | ||
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HXTR2102产品属性
- 类型
描述
- 型号
HXTR2102
- 功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 70MA I(C) | MICRO-X
更新时间：2026-3-18 22:50:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
OTAX |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
NTE |
2450+ |
TO-3P |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
NTE |
23+ |
TO-3 |
39250 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
OTAX |
DIP-3 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
NTE |
23+ |
65480 |
|||||
SANYO/三洋 |
22+ |
TO-3P |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
SANYO/三洋 |
24+ |
TO-3P |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
SANYO |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
SANYO |
24+ |
TO-3P |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
原装 |
1923+ |
TO-3P |
8900 |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
HXTR2102规格书下载地址
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