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IRF443	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low Boston) at high voltage • Improved Inductive ruggedness • Excellent high voltage stability • Fast switching times • Rugged polyslllcon gate cell structure • Low Input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability • TO-3 package (High vol	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF443	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V Description These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed sepecially for high voltage, high speed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers.	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MAN443C	0.39 INCH (9.9MM) SINGLE DIGIT STICK DISPLAY	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
XU443	N-Channel JFET Monolithic Dual DESCRIPTION The U443 Series is an N-Channel Monolithic Dual JFET designed for high speed amplifier circuits. Featuring high gain ( > 6 mS typical), low leakage ( FEATURES • High Gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . gfs > 6 mS typical • Low Leakage . . . . . . . . . . . . . . . .	CALOGIC	CALOGIC
MAN443C	0.39 INCH (9.9MM) SINGLE DIGIT STICK DISPLAY 文件：223.54 Kbytes Page：6 Pages	QT	QT

HW443A供应商更多...

更新时间：2026-3-18 14:06:01

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Bourns 符合 AEC-Q200 标准的反激式变压器专为 100 kHz 至 400 kHz 的开关频率而设计，适用于电动汽车应用
2025-1-13
HVQFN-56 NXP/恩智浦PCA9450CHNY
飞思卡尔NXP/ NXP/恩智浦半导体
2023-6-8
HVZ0E475NF
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2022-9-6
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HW-USB-II-G深圳宇航军工半导体有限公司优势品牌：XILINX、ALTERA、SAMSUNG 、MICRON、HYNIX、NANYA 、ISSI、INTEL、TI、MAXIM、ADI、POWER、DAVICOM、PLX、CYPRESS、MARVELL、AOS、ON、ST、NXP、IR、FREESCALE、NS、AVAGO、TOSHIBA、DIODES 、RENESAS、 ATMEL、等..优势品牌
2020-6-30
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2019-12-15
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2019-6-19