型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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RS232/423LowCap,#24-7c,FPE,O/AFoilBraid,PVCJkt,CM ProductDescription ComputerEIARS-232/423Cable,24AWGstranded(7x32)tinnedcopperconductors,Datalene®insulation,overallBeldfoil®(100coverage)+tinned copperbraidshield(65coverage),drainwire,PVCjacket. | BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司 | |||
DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel) Features •N-Channel 20V/15A,RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=17mΩ(typ.)@VGS=4.5V •P-Channel -20V/-6A,RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •Reliable | ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子 | |||
DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel) Features •N-Channel 20V/15A,RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=17mΩ(typ.)@VGS=4.5V •P-Channel -20V/-6A,RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •Reliable | ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子 | |||
DualEnhancementModeMOSFET(N-andP-Channel) Features •N-Channel 20V/9A, RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=18mΩ(typ.)@VGS=2.5V •P-Channel -20V/-6A, RDS(ON)=30mΩ(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=-2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFree | ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子 | |||
SimpleDriveRequirement,FullBridgeApplicationonLCDMonitorInverter 文件:99.35 Kbytes Page:7 Pages | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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APNE |
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SOP-8 |
30 |
向鸿原装正品/代理渠道/现货优势 |
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2020-11-29HV9100-高压开关模式控制器和MOSFET
一般描述Supertex公司通过HV9103HV9100是一种BiCMOS制系列/DMOS的单路输出,脉宽调制器芯片设计用于在高速高效率开关模式电源。他们提供所有必需的功能实现单开关电流模式PWM,在任何拓扑结构,与外部的最低部分。Supertex公司专有的BiCMOS的利用/DMOS技术在一个设备结果与一体的运行功率的十分之一传统的双极型PWM集成电路,它可以工作在多开关频率的两倍。动态调节范围也有所增加,至约8倍,类似的两极部分。他们之间的任何直接启动10直流输入电压并为HV9100或10至120VDC70VDC为HV9102和HV9103,无需外接电源电阻。输出级
2013-3-10HV9110-高电压电流模式PWM控制器
通过HV9113Supertex公司的HV9110是一系列的BiCMOS/DMOS的单输出,脉宽调制器集成电路用于使用高速高效率的开关电源。他们提供所有必要的功能,以实现单开关电流模式PWM,在任何拓扑结构,用最少的外部部分。因为他们利用Supertex公司的专有的BiCMOS/DMOS技术,他们需要不到一运行功率的十分之一传统的双极型PWMIC,以及可以运行在多个两次的开关频率。监管的动态范围。也有所增加,约8倍,类似的双极部分。他们开始直接从直流输入电压之间的任何10120VDC,无需外部功率电阻。输出阶段是推挽式CMOS,从而无需钳位二极管为保护,即使在重大的引线长度之间存在着输出
2012-12-1
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