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HTD360N10

100V Trench

HUNTECK

恒泰柯半导体

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 360A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.6mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC converter · Battery Chargers · High Speed Power Switching Applications

ISC

无锡固电

GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

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更新时间:2025-11-23 14:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
EUPEC/欧派克
23+
MODULE
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Eupec
2015
模块
300
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