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HEXFET짰 POWER MOSFET

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at po

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Drain Current ?밒D= 80A@ TC=25C

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GTM

勤益投资控股

更新时间:2025-12-31 20:00:01
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