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HSM8100G/TR13	封装/外壳：DO-215AB，SMC 鸥翼包装：卷带（TR）描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO215AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
HSM8100GE3/TR13	封装/外壳：DO-215AB，SMC 鸥翼包装：托盘描述：DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO215AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
ADL8100	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8100ACPZN	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL8100-EVALZ	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
8100	T1/CEPTISDNPRITransformers 文件：84.67 Kbytes Page：1 Pages	FILTRAN FILTRAN Group
AEDR-8100	ReflectiveSurfaceMountOpticalEncoder 文件：138.89 Kbytes Page：10 Pages	AVAGOAvago 安华高安华高科技

HSM8100G产品属性

类型
描述
型号
HSM8100G
功能描述
Schottky Rectifier

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更新时间：2024-6-17 18:56:00

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硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28

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