| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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320 mA Switched Capacitor Voltage Doubler GENERAL DESCRIPTION The ADP3610 is a push-pull switched-capacitor converter voltage doubler. The term “push-pull” refers to two charge pumps working in parallel and in opposing phase to deliver charge to support the output voltage. When one capacitor is pumping charge to the output, the other is | AD 亚德诺 |   | ||
320 mA Switched Capacitor Voltage Doubler GENERAL DESCRIPTION The ADP3610 is a push-pull switched-capacitor converter voltage doubler. The term “push-pull” refers to two charge pumps working in parallel and in opposing phase to deliver charge to support the output voltage. When one capacitor is pumping charge to the output, the other is | AD 亚德诺 | | ||
Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier • Low thermal resistance • Glass Passivated Die • 1200 Amps Surge Rating • Glass to metal construction • VRRM to 1200 V • Excellent reliability | MICROSEMI 美高森美 | | ||
0.300-INCH SEVEN SEGMENT DISPLAYS 文件：700.2 Kbytes Page：8 Pages | QT | | ||
Dual Schottky Diode Bridge 文件：162.12 Kbytes Page：3 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-2-16HSF-48-19-BF
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2020-3-10HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十
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2019-8-2HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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