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AN2838	35Wwide-rangehighpowerfactorflybackconverterevaluation 文件：1.35715 Mbytes Page：23 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BP2838	PWMdimmableNon-isolatedBuckLEDDriver 文件：238.55 Kbytes Page：2 Pages	BPSBright Power Semiconductor Co., Ltd 晶丰明源上海晶丰明源半导体股份有限公司
CM2838	300mALOWESRCMOSLDOWITHENABLE 文件：193.17 Kbytes Page：10 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
CM2838	300mALOWESRCMOSLDOWITHENABLE 文件：328.48 Kbytes Page：10 Pages	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子
CMKD2838	SURFACEMOUNTDUALPAIRHIGHSPEEDSILICONSWITCHINGDIODES 文件：434.17 Kbytes Page：2 Pages	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体

HSB2838-E产品属性

类型
描述
型号
HSB2838-E
制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
Diode, small signal, HSB2838-E

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更新时间：2024-6-1 17:23:02

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2021-2-16
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2020-3-10
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双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
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2013-3-2
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2013-1-28

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