型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 25N06 is an N-channel enhancement mode power MOSFET, which provides low gate charge, avalanche rugged technology, and so on. The UTC 25N06 is universally applied in DC-DC & DC-AC converters, motor control, high current, high speed switching, solenoid and relay drivers, re

UTC

友顺

Fast Switching

• FEATURES • Drain Current ID= 25A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.065Ω(Max) • Fast Switching • APPLICATIONS • Switching regulators • Switching converters,motor drivers,relay drivers

ISC

无锡固电

60V N-Channel Power Mosfet

Features VDS = 60V,ID =25A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Switching Low ON Resistance(Rdson≤29mΩ) Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances 100 Single Pulse avalanche energy Test

UMW

友台半导体

60V N-Channel Power Mosfet

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 60V,ID =25A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Swit

EVVOSEMI

翊欧

25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:186.89 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

更新时间:2025-12-17 18:35:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SYFOREVER
25+
TO-252
20300
SYFOREVER原装特价25N06即刻询购立享优惠#长期有货
PINGWEI(平伟)
20+
TO-252-2
2500
AP
24+
TO-252
60000
原装正品优势优价
UTC/友顺
23+
TO-252
79999
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
TECH PUBLIC(台舟)
23+
TO-252-2
11660
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
UMW 友台
23+
TO-252
725000
原装正品,实单请联系
VBsemi
24+
TO252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
VBsemi
21+
TO252
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi(台湾微碧)
2447
TO-252
105000
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
22+
TO-252
20000
只做原装

HS25N06DA数据表相关新闻

  • HS3001

    HS3001

    2023-6-13
  • HS2264A-R4

    HS2264A-R4,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-10-1
  • HS4-3282-8 原装 特价销售

    原装现货 欢迎咨询!

    2020-6-4
  • HS2241P

    HS2241P,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-3-11
  • HS-2100RH-抗辐射高频半桥驱动

    抗辐射高频半桥驱动 该辐射2100RH硬化HS是一个高频率,半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC,这是一个功能,引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和 高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和驱动程序的协议。此外,该器件具有片上错误检测和校正电路,可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意,一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边,从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队,何低。当这返回一个有效的供应电压,议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效,劳返

    2013-3-3
  • HS-4423BRH-抗辐射双通道,逆变电源的MOSFET驱动器

    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-3