| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC25N06isanN-channelenhancementmodepowerMOSFET,whichprovideslowgatecharge,avalancheruggedtechnology,andsoon. TheUTC25N06isuniversallyappliedinDC-DC&DC-ACconverters,motorcontrol,highcurrent,highspeedswitching,solenoidandrelaydrivers,re | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  |   | |
FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.065Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchingregulators •Switchingconverters,motordrivers,relaydrivers | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
60VN-ChannelPowerMosfet Features VDS=60V,ID=25A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 |  | | |
60VN-ChannelPowerMosfet GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=60V,ID=25A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwit | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体 |  | | |
25A,60VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：186.89 Kbytes Page：6 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMW(友台半导体) |
24+ |
TO-252 |
10000 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
|||
TECH PUBLIC(台舟) |
2024+ |
TO-252-2 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
|||
TECH PUBLIC(台舟) |
20+ |
TO-252-2 |
2500 |
||||
VB |
2024 |
TO-220 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
|||
台湾友顺UTC |
19+ |
TO-252 |
58983 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
UTC/友顺 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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UTC |
20+ |
TO-251 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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2023-6-13HS2264A-R4
HS2264A-R4，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-1HS4-3282-8 原装 特价销售
原装现货欢迎咨询！
2020-6-4HS2241P
HS2241P，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-11HS-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3HS-2100RH-抗辐射高频半桥驱动
抗辐射高频半桥驱动该辐射2100RH硬化HS是一个高频率，半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC，这是一个功能，引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和驱动程序的协议。此外，该器件具有片上错误检测和校正电路，可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意，一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边，从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队，何低。当这返回一个有效的供应电压，议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效，劳返
2013-3-3
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