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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HS250F14K7E | AluminumHousedAxialTerminalWirewound,Industrial/CommercialGrade 文件：210.2 Kbytes Page：2 Pages | OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY |  |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
OHMITE |
2122+ |
NA |
15688 |
全新原装正品现货,优势渠道可含税,假一赔十 |
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Ohmite |
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N/A |
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ARCOL |
24+25+/26+27+ |
车规-线绕电阻 |
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ARCOL |
22+ |
SOT-3403&NBS |
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全新原装品牌专营 |
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Arcol |
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原装现货 支持实单 |
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Crydom |
新 |
627 |
全新原装 货期两周 |
HS250F14K7E芯片相关品牌
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2023-6-13HS2264A-R4
HS2264A-R4，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-1HS4-3282-8 原装 特价销售
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2020-6-4HS2241P
HS2241P，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-11HS-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3HS-2100RH-抗辐射高频半桥驱动
抗辐射高频半桥驱动该辐射2100RH硬化HS是一个高频率，半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC，这是一个功能，引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和驱动程序的协议。此外，该器件具有片上错误检测和校正电路，可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意，一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边，从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队，何低。当这返回一个有效的供应电压，议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效，劳返
2013-3-3
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