| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA | AnalogPower Analog Power |  |   | |
Bandpass Filter 文件：19.33 Kbytes Page：1 Pages | KR KR Electronics, Inc. |  | | |
Nylon Hose Clamps 文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 |  | | |
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：326.73 Kbytes Page：5 Pages | AnalogPower Analog Power | | | |
RPD is a dedicated timing pin for the return from Power Down circuit 文件：121.57 Kbytes Page：10 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ANALOGPOWER |
22+ |
SOT23-3 |
23790 |
原装正品现货 |
|||
AnalogPower |
2025+ |
SOT-23 |
7695 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
Analogpow |
20+ |
SOT23-3 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
Analogpow |
14+ |
SOT-23 |
3523 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
|||
ANALOGPOW |
21+ |
SOT-23 |
3523 |
原装现货假一赔十 |
|||
ANALOGPOW |
2019+PB |
SOT-23 |
3000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
ANALOGPOWER |
24+ |
SOT-23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ANALOGPOWER |
2511 |
SOT-23 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
SOT23-3 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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HS3001
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2023-6-13HS2264A-R4
HS2264A-R4，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-1HS4-3282-8 原装 特价销售
原装现货 欢迎咨询！
2020-6-4HS2241P
HS2241P，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-11HS-2100RH-抗辐射高频半桥驱动
抗辐射高频半桥驱动 该辐射2100RH硬化HS是一个高频率，半桥100V的N沟道MOSFET驱动器IC，这是一个功能，引脚到引脚Intersil的HIP2500更换和行业标准2110种。低端和 高边栅极驱动器可以独立控制。这给出了在死区时间选择用户最大的灵活性和驱动程序的协议。此外，该器件具有片上错误检测和校正电路，可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意，一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护的高一边，从特修斯闩锁。在高侧欠压供应部队，何低。当这返回一个有效的供应电压，议员将前往国家显。在低侧电源欠压部队既劳和HO低。当该供应变得有效，劳返
2013-3-3HS-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-3
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