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L, S BAND POWER GaAs FET

DESCRIPTION The MGF0911A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • Class A operation • High output power P1dB=41.0dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11.0dB(TYP.) @f=2.3GHz • High power added efficiency P.A.E =40(TY

MITSUBISHI

三菱电机

PHOTO-INTERRUPTER

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KINGBRIGHT

今台电子

L, S BAND POWER GaAs FET

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MITSUBISHI

三菱电机

1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output

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RECOM

1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output

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RECOM

更新时间:2026-8-1 19:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
10+
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MITSUBISHI/三菱
23+
TO-59
8510
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MIT
2023+
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