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MOS FET Power Amplifier Module for AMPS Handy Phone

Features • Low voltage operation : 4.6 V • 2 stage amplifier : +8 dBm input • Lead less small package : 0.2 cc • High efficiency : 48 Typ at 1 W • Low power control current : 500 µA Typ

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Ultra-Low Jitter LVCMOS Fanout Buffer and Level Translator

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TI

德州仪器

Ultra-low Jitter LVCMOS Fanout Buffer/Level Translator

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堡盟电子

更新时间:2026-8-1 17:57:01
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