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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -60V, -12.5A, RDS(ON) = 100mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 120mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

更新时间:2026-1-5 20:47:01
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