固定、12 mil通线无源衰减器芯片，DC - 50 GHz

HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658属于宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片产品系列，可提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减水平。 这些无源通线和衰减器适用于要求极其平坦衰减以及出色的VSWR与频率关系的微带、混合和多芯片模块应用。 \n\n 这些宽带衰减器提供低电感片上通孔，无需额外的接地连接。 HMC650到HMC658都经过背面镀金金属化处理，适用于共熔或环氧树脂芯片贴装工艺。 这9款器件均可通过各自的器件号单独购买，也可在HMC-DK006固定衰减器芯片设计人员套件中以10个为一组购买。 • 宽带宽： DC - 50 GHz \n\n• 9款衰减器产品：\n0, 2, 3, 4, 6, 10, 15, & 20 dB 固定电平\n\n• 功率处理： +25 dBm \n\n• HMC651 & HMC658\n裸片尺寸：0.57 x 0.45 x 0.1 mm;

封装/外壳：模具 包装：托盘 描述：RF ATTENUATOR 50OHM DIE RF/IF，射频/中频和 RFID 衰减器

WIDEBAND FIXED ATTENUATOR FAMILY

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WIDEBAND FIXED ATTENUATOR FAMILY, DC - 50 GHz

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GaAs MMIC I/Q上变频器，采用SMT封装，5.5 - 8.6 GHz

HMC6505LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB的小信号转换增益和22 dBc的边带抑制性能。 HMC6505LC5采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC6505LC5为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。 \n应用 \n\n点对点和点对多点无线电 \n军用雷达、EW和ELINT \n卫星通信 \n传感器 高转换增益： 15 dB \n边带抑制： 22 dBc \nLO / RF抑制： 14 dBc \n高输出IP3： +35 dBm \n32引脚5x5mm SMT封装： 25mm²;

5.5 GHz 到 8.6 GHz，GaAs，MMIC，I/Q 升频器

HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封装的紧凑型砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 升频器，工作频率范围为 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信号转换增益，以及 22 dBc 的边带抑制。HMC6505A 在可变增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混频器，该混频器由主动本地振荡器 (LO) 驱动。提供 IF1 和 IF2 混频器输入，并需要采用外部 90° 混合模式选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不必要的边带进行过滤的需要。HMC6505A 是混合式单边带 (SS • 转换增益：15 dB（典型值）\n\n• 边带抑制：22 dBc（典型值）\n\n• 增益最大时的输出 P1dB 压缩：22 dBm（典型值）\n\n• 增益最大时的输出 IP3：35 dBm（典型值）\n\n• LO 到 RF 隔离：4 dB（典型值）\n\n• LO 到 IF 隔离：9 dB（典型值）\n\n• RF 回波损耗：20 dB（典型值）\n\n• LO 回波损耗：10 dB（典型值）\n\n• IF 回波损耗：20 dB（典型值）\n\n• 裸焊盘，5 mm × 5 mm，32 端子，无引线芯片载体封装;

5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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丝印代码：H6505A；5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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丝印代码：H6505A；5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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封装/外壳：32-TFCQFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：IC MMIC I/Q UPCONVERTER 32LFCSP RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块

丝印代码：H6505A；5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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GaAs MMIC I/Q UPCONVERTER 5.5 - 8.6 GHz

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Silicon planer type (cathode common)

Silicon planer type (cathode common) For switching ■Features ●High reverse voltage VR ●Low forward voltage VF ●Fast reverse recovery time trr

SWITCHMODE??Power Rectifirers DPAK Surface Mount Package

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 6 AMPERES 20 TO 60 VOLTS . . . in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes, these state–of–the–art devices have the following features: • Extremely Fast Switching • Extremely Low Forward Drop • Platinum Barrier with Avalanche Guardrings • Gua

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor Designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 520 MHz. • Guaranteed 440, 470, 512 MHz 12.5 Volt Characteristics Output Power = 50 Watts Minimum Gain = 5.2 dB @ 440, 470 M

ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 60 Volts CURRENT - 6 Ampere)

VOLTAGE 20 to 60 Volts CURRENT 6.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. • Low forwrd vo

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 6.0 Amperes)

VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT 6.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • For surface mounted applications • Low profile package • Built-in strain relief • Low power loss, High efficiency • High surge capacity •