GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

General Description The HMC554 is a passive double balanced mixer that can be used as an upconverter or downconverter between 11 and 20 GHz. The miniature monolithic mixer is fabricated in a GaAs MESFET process, and requires no external components or matching circuitry. The HMC554 provides excell

GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

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Microwave Radio

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封装/外壳：模具 包装：散装 描述：IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器

GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

10 GHz 至 20 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器

HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部组件或匹配电路。HMC554ACHIPS 经优化的平衡/不平衡转换器结构可提供高的本机振荡器 (LO) 至 RF 隔离和 LO 至中频 (IF) 隔离 (分别为 38 dB 和 52 dB)。 • 高达 8.5 dB（典型值）的转换损耗\n\n• LO 到 RF 隔离：38 dB（典型值）\n\n• 高达 20 dBm（典型值）的输入 IP3\n\n• 符合 RoHS 标准的 7 焊盘裸片 CHIP;

10 GHz 至 20 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器

HMC554ALC3B 是一款通用型双平衡混频器，采用符合 RoHS 指令的无引线芯片载体 (LCC) 封装，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部元件和匹配电路。HMC554ALC3B 采用优化的平衡/不平衡转换器结构，因此可提供出色的本地振荡器 (LO) 到 RF 和 LO 到中频 (IF) 隔离性能。符合 RoHS 指令的 HMC554ALC3B 消除了对线焊的需求，并与大批量表面贴装制造技术兼容。 • 转换损耗：8.5 dB\n\n• LO 到 RF 隔离：37 dB\n\n• 输入 IP3：20 dBm\n\n• 符合 RoHS 指令的 2.90 mm × 2.90 mm 12 端子 LCC 封装;

GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

General Description The HMC554LC3B is a general purpose double balanced mixer in a leadless RoHS compliant SMT package that can be used as an upconverter or downconverter between 11 and 20 GHz. This mixer is fabricated in a GaAs MESFET process, and requires no external components or matching circ

GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

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10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer

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10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer

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10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double Balanced Mixer

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封装/外壳：12-CLCC 裸露焊盘 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器

10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double Balanced Mixer

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10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double Balanced Mixer

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10 GHz to 20 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer

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GaAs MMIC FUNDAMENTAL

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GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

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GaAs MMIC FUNDAMENTAL MIXER, 11 - 20 GHz

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NPN Silicon RF Transistor ● For general small-signal RF applications up to 300 MHz in amplifier, mixer and oscillator circuits

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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VZ : 3.9 - 200 Volts PD : 3 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 3.9 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VZ : 3.9 - 200 Volts PD : 3 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 3.9 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

FEATURES * 150 Volt VCEO * 1 Amp continuous current * Ptot= 1 Watt