GAAS PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER

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GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5.0 - 20.0 GHz

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GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5 - 20 GHz

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Point-to-Point Radios

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封装/外壳：模具 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

中等功率放大器芯片，5 - 20 GHz

HMC451是一款通用型GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为5至20 GHz。 该放大器提供22 dB增益，饱和功率为+22 dBm，电源电压为+5V (24% PAE)。 在整个工作频带内具有一致的增益和输出功率，因而可以在多个无线电频段使用一个通用的驱动器/LO放大器。 \n\n 由于尺寸较小(1.82mm²)、采用单电源工作和隔直I/O，HMC451放大器可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度<0.31mm (<12 mils)的焊线连接。 \n\n • 增益： 22 dB \n\n• 饱和输出功率：\n+22 dBm (24% PAE)\n\n• 输出IP3： +30 dBm \n\n• 单正电源： \n+5V (127 mA) \n\n• 50 Ω匹配输入/输出 \n\n• 小尺寸： 1.35 x 1.35 x 0.1 mm;

中等功率放大器，采用SMT封装，5 - 20 GHz

HMC451LC3是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器具有5至20 GHz的工作范围，提供19 dB增益、+21 dBm饱和功率和21% PAE（+5.0V单电源）。 50 Ω匹配放大器无需任何外部元件，且RF I/O经过隔直，非常适合用作线性增益模块或HMC SMT混频器驱动器。 HMC451LC3可以使用表贴制造技术。 • 增益： 19 dB \n\n• 饱和功率： +21 dBm (21% PAE) \n\n• 输出IP3： +30 dBm;

GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，5 - 18 GHz

HMC451LP3(E)是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器具有5至18 GHz的工作范围，提供18 dB增益、+21 dBm饱和功率和18% PAE（+5V单电源）。 50 Ω匹配放大器无需任何外部元件，且RF I/O经过隔直，非常适合用作线性增益模块或HMC混频器LO驱动器。 HMC451LP3(E)无需线焊，可以使用表贴制造技术。 • 增益： 18 dB \n\n• 饱和功率： +21 dBm (18% PAE) \n\n• 输出IP3： +28 dBm;

GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5 - 20 GHz

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Gaas PHEMT MMIC MEDIUM POWER aMPLIFIER

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GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5 - 20 GHz

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GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5 - 20 GHz

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GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5 - 20 GHz

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封装/外壳：16-VFQFN 裸露焊盘 包装：托盘 描述：IC RF AMP GP 5GHZ-20GHZ 16SMT RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5 - 18 GHz

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GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER

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GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5 - 18 GHz

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GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER

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GENERAL PURPOSE RECTIFIER

Phase Control SCR 1500 Amperes Average 2400 Volts

Description: Powerex Silicon Controlled Rectifiers(SCR) are designed for phase control applications. These are all-diffused, Press-Pak, hermetic Pow-R-Disc devices employing the field proven amplifying gate. Features: □ Low On-State Voltage □ High di/dt Capability □ High dv/dt Capability □ H

Single Supply, Low-Power, High Output, Programmable Buffer

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Single Supply, Low-Power, High Output, Programmable Buffer

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Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier

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