使用InGaP HBT技术，8分频，采用SMT封装，DC - 8 GHz

HMC434是一款低噪声、静态、8分频预分频器单芯片微波集成电路(MMIC)，利用磷化铟镓/砷化镓(InGaP/GaAs)异质结双极性晶体管(HBT)技术，采用超小型6引脚SOT-23表贴封装。\n\n HMC434采用3 V单直流电源供电，工作频率范围为接近直流（方波）或200 MHz（正弦波）至8 GHz输入频率。\n\n HMC434具有单端输入和输出，可减少元件数量并降低成本。100 kHz偏置时的低加性单边带(SSB)相位噪声为-150 dBc/Hz，有助于用户保持最佳系统噪声性能。\n\n应用\n\n 直流至C频段PLL预分频器 甚小孔径终端(VSA • 超低SSB相位噪声： -150 dBc/Hz \n\n• 单端输入/输出\n\n• 输出功率：-2 dBm（典型值）\n\n• 单电源供电：3 V\n\n• 超小型、2.90 mm × 2.80 mm、6引脚SOT-23表贴封装;

SMT GaAs HBT MMIC

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封装/外壳：SOT-23-6 功能：预定标器 包装：托盘 描述：IC FREQ DIVIDER DC-8GHZ SOT26 RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 8.0 GHz

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SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 8.0 GHz

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SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 8 GHz

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SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 8.0 GHz

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SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 8 GHz

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SMT GaAs HBT MMIC

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SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 8 GHz

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封装/外壳：SOT-23-6 功能：预定标器 包装：管件 描述：IC FREQ DIVIDER DC-8GHZ SOT26 RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION The BD433, BD435, and BD437 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in Jedec SOT-32 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The BD433 is especially suitable for use in car-radio output stages. The complementary PNP types are BD43

PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS

PNP Silicon Epibase Transistors

PNP NPN Darlington H-bridge

PNP + NPN Darlington H-bridge

PNP NPN Darlington H-bridge

PNP + NPN Darlington H-bridge

Thermopile Detector

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