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HM6408

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The HM6408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features ● VDS = 20V,ID = 5.5A RDS(ON)

HMSEMI

华之美半导体

HM6408

N沟道 低压MOS

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更新时间:2025-11-21 18:33:00
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