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HM30P55K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE30P55K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-30V,ID =-55A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE30P55L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-30V,ID =-55A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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RECTRON

丽正国际

更新时间:2025-12-16 9:21:00
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    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐 手机:18975515225 原装正品 大量现货,有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信:wei555222777

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