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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description The ACE2341B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or other general applications. Features • VDS=-20V, ID=-4.1A • RDS(ON)

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-3.3A竊?20V P-CHANNEL MOSFET

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P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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更新时间:2025-8-5 20:00:01
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