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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM20N10E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with

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爱德微

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

20 Amps, 95Volts N-CHANNEL Power MOSFET

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CHONGQING

平伟实业

更新时间:2025-12-29 15:20:01
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