| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VISHAY1280AND1285GSERIESPrecisionTrimmingPotentiometers INTRODUCTION VishayFoilprecisiontrimmershavetheBulkMetal®Foilresistiveelementwhichpossessesauniqueinherenttemperatureandloadlifestability.Plus,theiradvancedvirtuallybacklash-freeadjustmentmechanismmakesthemeasytosetquicklyandaccuratelyandkeepsthesettingexa | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   | |
ADS1285High-Resolution,Delta-SigmaADCforSeismicApplications 1Features •Power-scalablemodes(DRat500SPS,gain=1): –High-powermode:134-dBDR,11.5mW –Mid-powermode:134-dBDR,8.5mW –Low-powermode:131-dBDR,6.5mW •THD:–120dB •CMRR:125dB •Datarate:125SPSto4000SPS •PGAgain:1to64 •Power-savingbuffermode •Sampl | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
ADS128532-Bit,Delta-SigmaADCforSeismicApplications 1Features •Selectableresolution-powermodes: –Dynamicrange:134dBat2ms,11.5mW –Dynamicrange:129dBat2ms,4.8mW •Flexibledigitalfilter: –Selectablesinc+FIR+IIR –Linearorminimumphase –High-passfilter •THD: | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
BulkMetal®FoilTechnologyUltraHighPrecisionTrimmingPotentiometers3/4Rectilinear 文件：374.21 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
BulkMetal®FoilTechnologyPrecisionTrimmingPotentiometers3/4Rectilinear,±5ppm/°Cand±15ppm/°CTCR 文件：123.54 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AGERE |
24+ |
NA/ |
608 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
AGERE |
04+/05+ |
BGA-352 |
608 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
KEYSTONE |
19+ |
349 |
原装现货支持BOM配单服务 |
||||
AGERE |
21+ |
BGA-352 |
608 |
原装现货假一赔十 |
|||
2020+ |
93*70 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
||||
AGERE |
24+ |
BGA-352 |
608 |
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TE/泰科 |
2508+ |
/ |
484664 |
一级代理，原装现货 |
|||
Keystone Electronics |
23+ |
原厂封装 |
329 |
只做原装只有原装现货实报 |
|||
ENTRELEC |
60 |
公司优势库存 热卖中!! |
|||||
MOLEX/莫仕 |
24+ |
38047 |
原厂现货渠道 |
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HK4100F-DC12V-SHG
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2019-7-26HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
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