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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
HJ122	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHJ122isdesignedforuseingeneralpurposesandlowspeedswitchingapplications. Features •HighDCcurrentgain •Built-inadamperdiodeatE-C	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司
122	11/16 FEATURES •Gangableupto6sections •Extratapsonrequest •Bushingorservomounttypesavailable •Ohmicvaluerange:5upto100k •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
A122HI	Ultra-HighIsolation,1.5WSingle&DualOutputDC/DCConverters KeyFeatures: •1.5WOutputPower •8,000VDCIsolation •2µALeakageCurrentMax •CompactDIPCase •Single&DualOutputs •MeetsEN55022ClassA •1.0MHMTBF •IndustryStandardPin-Out	MPD MPD (Memory Protection Devices)
122.SA	GeneralPurposeTweezers 文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商
122C	MAGNETIC-LATCHING 文件：131.84 Kbytes Page：3 Pages	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated
122JE	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10) 文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商

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更新时间：2025-6-13 17:06:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	HJ122	HJ/华昕	24+	TO-252	500213	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市仟禧电子有限公司	HJ122	HSMC	22+	SOT-252	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	HJ122	SOT-252	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	HJ127	HJ	25+23+	TO252	75266	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市博浩通科技有限公司	HJ122	HJ/华昕	23+	SOT-252	3000	专业优势供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	HJ127	HJ	24+	TO-252	5000		询价
深圳市中联芯电子有限公司	HJ123	TI	24+	TSSOP-16	9000	只做原装正品有挂有货假一赔十	询价
上海金庆电子技术有限公司	HJ1264HLP	HammondManufacturing	新		5	全新原装货期两周	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HJ122	HSMC	23+	TO252	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市恒创达实业有限公司	HJ127	HSMC	17+	TO-252	6200		询价

Hirose、TE.JST、JAE、AMP等品牌原装进口连接器材！
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2021-9-17
HK32F103C8T6
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2021-6-2
HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28
HK4100F-DC12V-SHG
HK4100F-DC12V-SHG，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-14
HK4100F-DC12V-SHGHK4100F-12V小型信号继电器六脚
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2019-7-26
HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3