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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
MJD112-1G	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DC-112-1	1WATTSINGLEOUTPUTDC-DCCONVERTERS 文件：247.13 Kbytes Page：1 Pages	INTRONICS Intronics Power, Inc.
MJD112-1G	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors 文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

HJ112-1G供应商更多...

更新时间：2024-6-1 23:00:01

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深圳廊盛科技有限公司	MJD112-1G	ON/安森美	2022	TO-251	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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深圳市宏世佳电子科技有限公司	MJD112-1G	ON	2023+	TO-251-3	3577	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
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Hirose、TE.JST、JAE、AMP等品牌原装进口连接器材！
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2021-9-17
HK32F103C8T6
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2021-6-2
HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28
HK4100F-DC12V-SHG
HK4100F-DC12V-SHG，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-14
HK4100F-DC12V-SHGHK4100F-12V小型信号继电器六脚
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2019-7-26
HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3