位置：首页 > IC中文资料 > HIT-STD-W001-C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIT-STD-W001-C | 8Industrial-GradeTabletwithQualcomm®Snapdragon™660Processor,Android12withAndroidEnterpriseRecommended Features Qualcomm®Snapdragon™660processorwithAndroid12andAndroid EnterpriseRecommendedcertification 8industrial-gradeLCDwith1920x1200resolution,400-nitbrightness,and upto12,000hoursMTBF Projectedcapacitivetouchscreenwithscratch-resistantCorning®Gorilla® Glas | ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司 |  |   |
HIT-STD-W001-C | Innovative11.6HealthcareInformationTerminal Features Innovativeandultra-slimdesignforhealthcareandhospitalityapplications All-in-onecomputerwithIntel®ApolloLakeCPU IP65ratedfrontpanel SupportsM.22230WiFi/BTmodulesandM.22242SSDs SupportsRFID/NFC/WebCamera/SmartCardReader SupportsLEDindicator | ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司 | | |
LPSC/LPSMPOWR-SAFEFUSEHOLDERS 文件：502.43 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 |  | | |
TiltSwitch-Mercury 文件：174.24 Kbytes Page：1 Pages | AEC Associated Equipment Corporation |  | | |
SwappedRTS/CTSpinstomatchthedefaultconfigurationatmanufacturing 文件：2.36674 Mbytes Page：12 Pages | SILABS Silicon Laboratories |  | | |
SerialCommunicationsPrimer 文件：1.41547 Mbytes Page：13 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 |  | | |
ECDirectivesModels) 文件：373.43 Kbytes Page：51 Pages | OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
16+ |
QFP |
1232 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
ADI |
23+ |
N/A |
7000 |
||||
MISW |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ICR |
23+ |
SMD |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
ADI |
22+ |
N/A |
60000 |
专注配单,只做原装现货 |
|||
ERSA |
24+ |
原厂封装 |
5000 |
原装现货假一罚十 |
|||
NEC |
23+ |
BGAQFP |
8659 |
原装公司现货!原装正品价格优势. |
|||
ICORALLY |
新 |
75 |
全新原装 货期两周 |
||||
ADI |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原装现货 |
|||
23+ |
SOP |
16567 |
正品:QQ;2987726803 |
HIT-STD-W001-C芯片相关品牌
HIT-STD-W001-C规格书下载地址
HIT-STD-W001-C参数引脚图相关
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2019-7-26HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
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