| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER(VOLTAGE - 200 to 600 Volts CURRENT - 3.0 Amperes) FEATURES • For thorough hole applications • Low profile package • Built-in strain relief • Easy pick and place • Superfast recovery times for high efficiency • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • Glass passivated junction • High temperature solde | PANJIT 強茂 |   | ||
SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER(VOLTAGE - 200 to 600 Volts CURRENT - 3.0 Amperes) FEATURES • For thorough hole applications • Low profile package • Built-in strain relief • Easy pick and place • Superfast recovery times for high efficiency • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • Glass passivated junction • High temperature solde | PANJIT 強茂 | | ||
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 to 600 Volts CURRENT - 3.0 Amperes) SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS VOLTAGE 50 to 800 Volts CURRENT 3.0 Ampere FEATURES • Superfast recovery times-epitaxial construction. • Low forward voltage, high current capability. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228. • Hermetically sealed. • Low leakage. | PANJIT 強茂 | | ||
HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(3.0A,50-400V) High Efficiency Rectifiers | MOSPEC 统懋 | | ||
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(3.0A,20-60V)
| MOSPEC 统懋 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes Incorporated |
25+ |
DO-201AD |
6843 |
样件支持,可原厂排单订货! |
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Diodes Incorporated |
25+ |
DO-201AD |
6895 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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TSC/台湾半导体 |
2026+ |
DO-27 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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SIYU |
10+;0833+ |
DO41 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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MIC |
23+ |
DO-201AD |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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MIC |
2015+ |
DIPSMD |
19898 |
专业代理原装现货,特价热卖! |
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MIC |
25+ |
DO-201AD |
6500 |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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平洋 |
23+ |
DIP(rohs) |
67180 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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ST |
26+ |
DO-201AD |
60000 |
只有原装 可配单 |
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YJ |
19+ |
10000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
HIR303DAP规格书下载地址
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2021-9-17HK32F103C8T6
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
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