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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Dual Switching Diode Common Cathode Dual Switching Diode Common Cathode | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | ||
DPAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 6.0 Amperes) VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 6.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • For surface mounted applications • Low profile package • Built-in strain relief • Metal to silicon rectifier majority carrier conduction • Low power los | PANJIT 強茂 | | ||
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 6.0 Amperes) VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT 6.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • For surface mounted applications • Low profile package • Built-in strain relief • Low power loss, High efficiency • High surge capacity • | PANJIT 強茂 | | ||
Dual Switching Diode Common Cathode 文件：64.53 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
FM/IF system and microcomputer-based tuning interface 文件：513.419 Kbytes Page：27 Pages | PHILIPS 飞利浦 | |
HIPC6100产品属性
- 类型
描述
- 型号
HIPC6100
- 制造商
Hubbell Wiring Device-Kellems
- 功能描述
CABLE, HI-IMPACT,C6,BK,100FT
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-92(TO-226) |
7734 |
样件支持,可原厂排单订货! |
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onsemi |
25+ |
TO-92(TO-226) |
7786 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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MOT |
25+ |
2000 |
公司优势库存 热卖中!! |
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ON |
24+ |
5000 |
公司存货 |
||||
ON Semiconductor |
22+ |
TO923 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
TO923 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ONSEMICONDU |
24+ |
原封装 |
146000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-92-FET-TD-THY |
10007 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
SOP-8 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
HIPC6100规格书下载地址
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-3
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