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8081	MagnetWire,#30SolBC,Polyester/Amide-imidePolymerIns ProductDescription MagnetWire,30AWG(Solid)BareCopper,Polyester/Amide-imidePolymerInsulation,CLASS200MW35-C	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司
8081	ThermalCutoff 文件：61.31 Kbytes Page：1 Pages	NTE NTE Electronics, Inc
EPF8081S	10/100Base-XQuad-PhyterModule 文件：56.72 Kbytes Page：1 Pages	PCA PCA Electronics, Inc.
F8081	SAWBandpassFilterF8081 文件：1.36147 Mbytes Page：7 Pages	ITFIntegrated Technology Future Integrated Technology Future
KSZ8081	10BASE-T/100BASE-TXPHYwithRMIISupport 文件：454.59 Kbytes Page：52 Pages	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司

HIP8081AIP供应商更多...

更新时间：2024-6-6 15:39:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司	80812000	LITTLEFUSE	22+	SMD	25000	原装现货,价格优惠,假一罚十	询价
深圳市赛美科科技有限公司	808153	XBOX		SOP8	2500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
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HK32F103C8T6
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2021-6-2
HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28
HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
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双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
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