| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Amlifier Transistors (PNP) Amplifier Transistors PNP Silicon | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | ||
丝印代码：D213；DUAL CHANNEL SMALL OUTLINE OPTOISOLATOR TRANSISTOR OUTPUT This device consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes optically coupled to two monolithic silicon phototransistor detectors, in a surface mountable, small outline, plastic package. It is ideally suited for high density applications and eliminates the need for through–the–board moun | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Germanium PNP Transistor High Power, High Gain Amplifier Description: The NTE213 is a germanium PNP power transistor in a TO36 type package designed high–power, high–gain applications in high–reliability industrial equipment. | NTE | | ||
TRISILTM DESCRIPTION The SMTPBxx series has been designedto protect telecommunication equipment against lightning and transient induced by AC power lines. FEATURES BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGE RANGE: From 62 V To 270 V. HOLDING CURRENT: IH= 150 mA min REPETITIVE PE | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
1024- 횞 512-pixel ccd image sensor 文件：325.65 Kbytes Page：21 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2013-1-7
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