| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HIC5863 | RelayModule 文件：777.74 Kbytes Page：4 Pages | PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）过程自动化控制设备有限公司 |  |   |
RelayModule 文件：770.64 Kbytes Page：4 Pages | PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）过程自动化控制设备有限公司 | | | |
MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiodeGeneral-PurposeSwitchingDevice MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiod Features •DC/DCconverterapplications. •CompositetypewithaN-channelsilliconMOSFETandaschottkybarrierdiodecontainedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •2.5Vdrive. •[SBD] •Shor | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 |  | | |
8192wordx8-bitHighSpeedCMOSStaticRAM Description CXK5863AP/AJare65,536bitshighspeedCMOSstaticRAMSorganizedas8,192wordsby8-bitsandoperatefromasingel5Vsupply.Thesedevicesaresuitableforuseinhighspeedapplicationssuchascashmemory. | SonySony Corporation 索尼 |  | | |
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2013-1-7
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