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NPNHighVoltagePlanarTransistor

Description •Highbreakdownvoltage.(BVCEO=500V) •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCESAT. •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM. •HighcollectorcurrentgainHFEathighcollectorcurrentIC. •Lowcollectoroutputcapacitance.(Typ.5pFatVCB=20V) •Pb-freeleadplat

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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好达电子无锡市好达电子股份有限公司

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