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NPN High Voltage Planar Transistor

Description • High breakdown voltage. (BVCEO=500V) • Low collector-emitter saturation voltage VCESAT. • High collector current capability IC and ICM. • High collector current gain HFE at high collector current IC. • Low collector output capacitance. (Typ. 5pF at VCB =20V) • Pb-free lead plat

CYSTEKEC

全宇昕科技

SAW FILTER

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好达电子

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更新时间:2025-12-27 16:33:01
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