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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

更新时间:2026-1-1 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAGNACHIP/美格纳
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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    2022-8-10
  • HCF4060BEY ST

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    2021-11-8
  • HC89S003F4P6

    HC89S003F4P6,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-21
  • HCF4093BEY公司大量原装现货/随时可以发货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-4-17
  • HCF4081M013TR公司大量原装现货/随时可以发货

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    2019-4-17
  • HCA10008-80V/2.5A峰值,高频全桥FET驱动器

    80V/2.5A山顶,高频率100桥FET驱动器 该HCA10008是一个高频率,中压全大桥N沟道场效应管驱动IC,在20个铅可用塑料SOIC封装。该HCA10008可以驱动每一个可能开关组合,除了那些会造成拍摄通过条件。该HCA10008可以切换频率高达1MHz,非常适合驾驶音圈马达,高频率的D类音频放大器以及电源供应。例如,可以驱动中压HCA10008刷马达,两个HCA10008s可以用来驱动高性能步进电机,因为短期最低“准时“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍,可以调整到接近零,以尽量减少失真,从而导致在快速,精确控制的驱动负载。

    2013-3-4