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HBR10150SB

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HBR10150SBR

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HBR10150SHF

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HBR10150S

肖特基二极管/SBD-HBR系列

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HBR10150S

SCHOTTKY BARRIER DIODE

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MRF10150

MICROWAVE POWER TRANSISTOR

The RF Line Microwave Pulse Power Transistor . . . designed for 1025–1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode–S transmitters. • Guaranteed Performance @ 1090 MHz Output Power = 150 Watts Peak Gain = 9.5 dB Min, 10.0 dB (Typ) • 100 Tested for Load M

MOTOROLA

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MUR10150

SCANSWITCH RECTIFIER 10 AMPERES 1500 VOLTS

For Use As A Damper Diode In High and Very High Resolution Monitors The MUR10150E is a state-of-the-art Power Rectifier specifically designed for use as a damper diode in horizontal deflection circuits for high and very high resolution monitors. In these applications, the outstanding performa

MOTOROLA

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MUR10150E

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STPS10150

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

High voltage power Schottky rectifier Description Dual center tap schottky rectifier designed for high frequency Switched Mode Power Supplies. Features and benefits ■ HIgh junction temperature capability ■ Good trade off between leakage current and forward voltage drop ■ Low

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STPS10150CG-TR

HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

High voltage power Schottky rectifier Description Dual center tap schottky rectifier designed for high frequency Switched Mode Power Supplies. Features and benefits ■ HIgh junction temperature capability ■ Good trade off between leakage current and forward voltage drop ■ Low

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意法半导体

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更新时间：2026-3-19 8:41:00
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HBR10150U-220
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HBR10200
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    近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄......详情请点击《两家存储大厂：今年HBM售罄》。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。

    2024-3-4

  • HBZ221KBBCF0KR

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    2023-11-9

  • HB6206A33M3G

    HB6206A33M3G

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    2021-12-20

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729

    2019-12-3

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