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HBP1804M65

Octuple High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor

Description • High breakdown voltage. (BVCEO=-400V) • Low saturation voltage, typical VCE(sat) =-0.17V at Ic/IB =-20mA/-1mA. • Complementary to HBN1803M65 • Pb-free lead plating and halogen-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2025-8-8 23:00:00
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    2021-5-19
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    2019-12-3