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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BAS16LT1	CASE 31808, STYLE 8 SOT23 (TO236AB) Switching Diode	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BAS16LT1	Switching Diode Switching Diode Features • Pb−Free Packages are Available	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS16LT1	Switching Diode Switching Diode	LRC 乐山无线电	LRC
BAS16LT1	Plastic-Encapsulated Diodes SOT-23 Plastic-Encapsulated Diodes FEATURES Power dissipation PD: 225 mW (Tamb=25℃) Forward Current IF: 200 m A Reverse Voltage VR: 75 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	TEL	TEL
BAS16LT1	Switching Diode 文件：53.61 Kbytes Page：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

HBAS16LT1G供应商更多...

更新时间：2025-12-31 17:14:01

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HBM战局打响；半导体项目新进展；MWC 2024回顾
近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄......详情请点击《两家存储大厂：今年HBM售罄》。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。
2024-3-4
HB6206A33M3G
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2023-1-2
HBN2444S6R CYSTECH
www.hfxcom.com
2021-12-20
HAT2165H-EL-E
产品属性属性值搜索类似制造商: Renesas Electronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LFPAK-5 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 商标: Renesas Electronics 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 单位重量: 80 mg
2020-8-11
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2019-12-3
HB1-DC24V
HB1-DC24V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-12