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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HAT3029R

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

RENESAS

瑞萨

HAT3029R

Power MOSFETs and IGBT for PDP

RENESAS

瑞萨

HAT3029R

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.44773 Mbytes Page：14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

HAT3029R

N-Channel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology

文件：3.78135 Mbytes Page：8 Pages

DOINGTER

杜因特

HAT3029R

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

HAT3029R-EL-E

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

RENESAS

瑞萨

HAT3029R_15

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

文件：163.73 Kbytes Page：12 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT3029R_16

Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching

文件：257.69 Kbytes Page：11 Pages

RENESAS

瑞萨

CDLL3029B

1 WATT ZENER DIODES

• 1N3016BUR-1 thru 1N3045BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/115 • 1 WATT ZENER DIODES • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION • METALLURGICALLY BONDED

CDI-DIODE

NTE3029

Infrared-Emitting Diode

Description: The NTE3029A 940nm LED is a multi–purpose device designed for use in numerous applications. This Gallium Arsenide device is manufactured to tight tolerances for maximum performance and long lifetime. Features: • Low Cost • Low Degradation • New Mold Technology Impr

NTE

NTE3029

Infrared-Emitting Diode

Description: The NTE3029B is a 940nm LED encapsulated in a clear, wide angle, sidelooker package. Features: • Good Optical to Mechanical Alignment • High Irradiance Level

NTE

NTE3029A

Infrared-Emitting Diode

Description: The NTE3029A 940nm LED is a multi–purpose device designed for use in numerous applications. This Gallium Arsenide device is manufactured to tight tolerances for maximum performance and long lifetime. Features: • Low Cost • Low Degradation • New Mold Technology Impr

NTE

SC3029B

360.0 MHz Differential Sine-Wave Clock

文件：77.06 Kbytes Page：2 Pages

RFM

HAT3029R产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装类型：

    SOP8

  • Nch/Pch：

    Nch/Pch

  • 通道数：

    Dual

  • VDSS (V) 最大值：

    30

  • ID (A)：

    6

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：

    58

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：

    34

  • Ciss (pF) 典型值：

    410

  • Vgs (off) (V) 最大值：

    2.5

  • VGSS (V)：

    20

  • Pch (W)：

    1.3

  • 应用：

    Industrial

  • 安装类型：

    Surface Mount

  • 订购条件：

    Large order only

  • QG (nC) 典型值：

    3.1

HAT3029R供应商更多...

更新时间：2026-8-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
HAT3029R-EL-E
Renesas(瑞萨)
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HAT3029R
RENESAS/瑞萨
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SOP-8
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原装
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HAT3029RJ
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HAT3029R
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HAT3029R
Renesas(瑞萨)
26+
原厂封装
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HAT3029R规格书下载地址

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    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Renesas Electronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LFPAK-5 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 商标: Renesas Electronics 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 单位重量: 80 mg

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