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HAT2199R	Power MOSFETs and IGBT for PDP	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2199R	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 13.0mΩ typ. (at VGS= 10 V)	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2199R	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT2199R-EL-E	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 13.0mΩ typ. (at VGS= 10 V)	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2199	Air solenoid valve 文件：85.6 Kbytes Page：2 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托费斯托（中国）有限公司	FESTO
2199	Snap Bushings 文件：106.76 Kbytes Page：1 Pages	Heyco	Heyco
AEQ2199	Gain Equalizers 文件：882.64 Kbytes Page：2 Pages	KNOWLES 楼氏电子	KNOWLES
AEQ2199	Gain Equalizers 文件：882.64 Kbytes Page：2 Pages	KNOWLES 楼氏电子	KNOWLES
AEQ2199	Gain Equalizers 文件：882.64 Kbytes Page：2 Pages	KNOWLES 楼氏电子	KNOWLES

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更新时间：2025-10-20 11:42:00

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HBM战局打响；半导体项目新进展；MWC 2024回顾
近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄......详情请点击《两家存储大厂：今年HBM售罄》。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。
2024-3-4
HB6206A33M3G
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2023-1-2
HAT2035R
HAT2035R
2021-9-10
HAT2165H-EL-E
产品属性属性值搜索类似制造商: Renesas Electronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LFPAK-5 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 商标: Renesas Electronics 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 单位重量: 80 mg
2020-8-11
HB1-DC24V
HB1-DC24V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-12
HAT2138WP
HAT2138WP 深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
2019-3-7