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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
HAT2169H	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=2.8mΩtyp.(atVGS=10V)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HAT2169H-EL-E	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=2.8mΩtyp.(atVGS=10V)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
HAT2169H_15	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching 文件：108.84 Kbytes Page：10 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2169	T-1SubminiatureLamps T-1¾WireLead T-1¾MiniatureFlanged T-1¾MiniatureGrooved T-1¾MidgetScrew T-1¾Bi-Pin	GILWAY Gilway Technical Lamp
AM2169	4096x4STATICR/WRANDOM-ACCESSMEMORY 4096x4StaticR/WRandom-AccessMemory	AMDAdvanced Micro Devices, Inc. 超威半导体美国超威半导体公司
CM2169	T-11/2WedgeBase T-11/2WedgeBase T-13/4WireTerminal	CMLCML CML
CM2169	WedgeBase T-11/2WedgeBase T-13/4WireTerminal T-13/4WireTerminal(standard)	VCC Visual Communications Company
AN2169	PortinganapplicationfromtheST10F168totheST10F276 文件：213.89 Kbytes Page：33 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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更新时间：2024-5-13 22:30:00

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HBM战局打响；半导体项目新进展；MWC 2024回顾
近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄......详情请点击《两家存储大厂：今年HBM售罄》。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。
2024-3-4
HB6206A33M3G
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2023-1-2
HAT2035R
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2021-9-10
HAT2165H-EL-E
产品属性属性值搜索类似制造商:RenesasElectronics 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:LFPAK-5 封装:CutTape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:RenesasElectronics 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 单位重量:80mg
2020-8-11
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2019-9-12
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2019-3-7