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2 Gbit (256M x 8 bit) NAND Flash

FEATURES SUMMARY DENSITY - 2Gbit: 2048blocks Nand FLASH INTERFACE - NAND Interface - ADDRESS / DATA Multiplexing SUPPLY VOLTAGE - Vcc = 3.0/1.8V Volt core supply voltage for Program, Erase and Read operations. MEMORY CELL ARRAY - X8: (2K + 64) bytes x 64 pages x 2048 blocks - X16: (1k+3

Hynix

海力士

2 Gbit (256M x 8 bit) NAND Flash

FEATURES SUMMARY DENSITY - 2Gbit: 2048blocks Nand FLASH INTERFACE - NAND Interface - ADDRESS / DATA Multiplexing SUPPLY VOLTAGE - Vcc = 3.0/1.8V Volt core supply voltage for Program, Erase and Read operations. MEMORY CELL ARRAY - X8: (2K + 64) bytes x 64 pages x 2048 blocks - X16: (1k+3

Hynix

海力士

NAND Flash(SLC,MLC,eMMC,E2NAND3.0,(Solid State Drive))

文件:87.34 Kbytes Page:5 Pages

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NAND Flash(SLC,MLC,eMMC,E2NAND3.0,(Solid State Drive))

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海力士

更新时间:2025-12-17 11:37:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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