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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H24B2 | THEH24BSERIESCONSISTSOFAGALLIUMARSENIDEINFRAREDEMITTINGDIODECOUPLEDWITHASILICONPHOTOTRANSISTOR 文件：68.82 Kbytes Page：1 Pages | QT QT Brightek (QTB) |  |   |
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  | | |
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped. | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
Plug-InOutletCenterUnits 文件：1.3878 Mbytes Page：8 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | | |
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H24B2产品属性
- 类型
描述
- 型号
H24B2
- 功能描述
晶体管输出光电耦合器
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 输入类型
DC
- 最大集电极/发射极电压
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压
0.4 V
- 绝缘电压
5300 Vrms
- 电流传递比
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压
1.65 V
- 最大输入二极管电流
60 mA
- 最大集电极电流
100 mA
- 最大功率耗散
100 mW
- 最大工作温度
+ 110 C
- 最小工作温度
- 55 C
- 封装/箱体
DIP-4
- 封装
Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE/泰科 |
2308+ |
158542 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
||||
德驰DEUTSCH |
21+ROHS |
NA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FAC |
1846+ |
409 |
原装现货!随时可以看货!一片起卖! |
||||
TE/泰科 |
2320+ |
111150 |
原装正品现货 |
||||
Fairchild |
23+ |
33500 |
|||||
TE |
22+ |
NA |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TE |
22163 |
NA |
8 |
现货!就到京北通宇商城 |
|||
TE |
23+ |
NA |
4 |
现货!就到京北通宇商城 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2013+ |
DIP4 |
3931 |
原装现货 |
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- H2506
- H2505
- H24SN12029NKFB
- H24SN12029NKFA
- H24SN12012PRFB
- H24SN12012PRFA
- H24SN12012PNFB
- H24SN12012PNFA
- H24SN12012PKFB
- H24SN12012PKFA
- H24SN12012NRFB
- H24SN12012NRFA
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