位置:首页 > IC中文资料第10752页 > H11B2SD

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
H11B2SD

封装/外壳:6-SMD,鸥翼 包装:卷带(TR) 描述:OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD 隔离器 光隔离器 - 晶体管,光电输出

ONSEMI

安森美半导体

PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS

DESCRIPTION The CNX48U, H11BX, MOC8080 and TIL113 have a gallium arsenide infrared emitter optically coupled to a silicon planar photodarlington. FEATURES • High sensitivity to low input drive current • Meets or exceeds all JEDEC Registered Specifications • VDE 0884 approval avail

FAIRCHILD

仙童半导体

PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS

文件:140.38 Kbytes Page:7 Pages

QT

Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply

Features • Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc. • Wide spectrum from 1.6V through 38V of zener voltage provide flexible application.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply

Features • Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc. • Wide spectrum from 1.6 V through 38 V of zener voltage provide flexible application.

RENESAS

瑞萨

Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer

Features • Ultra small Resin Package (URP) is suitable for surface mount design. • These diodes are delivered taped.

RENESAS

瑞萨

H11B2SD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H11B2SD

  • 功能描述

    晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Photodarlington

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型

    DC

  • 最大集电极/发射极电压

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压

    0.4 V

  • 绝缘电压

    5300 Vrms

  • 电流传递比

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流

    60 mA

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 最大功率耗散

    100 mW

  • 最大工作温度

    + 110 C

  • 最小工作温度

    - 55 C

  • 封装/箱体

    DIP-4

  • 封装

    Bulk

更新时间:2026-7-31 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
6-SMD
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
onsemi
25+
6-SMD
18746
样件支持,可原厂排单订货!
FAIRCHILD/仙童
12+
DIPSOP
25100
原装现货

H11B2SD数据表相关新闻